Яңалыклар - Радар антенналарында энергияне үзгәртү

Микродулкынлы схемаларда яки системаларда бөтен схема яки система еш кына фильтрлар, тоташтыргычлар, көч бүлгечләр һ.б. кебек күп төп микродулкынлы җайланмалардан тора. Бу җайланмалар аша сигнал көчен бер ноктадан икенчесенә минималь югалтулар белән нәтиҗәле тапшырырга мөмкин дип өметләнәбез;

Бөтен транспорт чарасының радар системасында энергияне үзгәртү, нигездә, энергияне чиптан PCB тактасындагы фидерга күчерүне, фидерны антенна корпусына күчерүне һәм антенна тарафыннан энергияне нәтиҗәле нурландыруны үз эченә ала. Энергияне күчерү процессының бөтен процессында конвертерның дизайны мөһим өлеш булып тора. Миллиметр дулкын системаларындагы конвертерлар, нигездә, микродиапазонлы субстратка интеграцияләнгән дулкын үткәргеч (SIW) үзгәртүне, микродиапазонлы дулкын үткәргечкә үзгәртүне, SIWны дулкын үткәргечкә үзгәртүне, коаксиаль дулкын үткәргечкә үзгәртүне, дулкын үткәргечкә дулкын үткәргечкә үзгәртүне һәм төрле дулкын үткәргечләргә үзгәртү төрләрен үз эченә ала. Бу сан микродиапазонлы SIW үзгәртү дизайнына багышланачак.

Төрле транспорт корылмалары

Микротасмачагыштырмача түбән микродулкын ешлыкларында иң киң кулланыла торган юнәлеш бирүче структураларның берсе. Аның төп өстенлекләре - гади структура, арзан бәя һәм өслеккә урнаштыру компонентлары белән югары интеграция. Гадәти микродиапазон линиясе диэлектрик катлам субстратының бер ягында үткәргечләр кулланып формалаша, икенче ягында бер җир яссылыгы барлыкка китерә, аның өстендә һава була. Өске үткәргеч, нигездә, тар чыбык формасындагы үткәргеч материалдан (гадәттә бакырдан) тора. Линия киңлеге, калынлыгы, чагыштырма диэлектрик үткәрүчәнлек һәм субстратның диэлектрик югалту тангенсы мөһим параметрлар булып тора. Моннан тыш, үткәргечнең калынлыгы (ягъни металлизация калынлыгы) һәм үткәргечнең үткәрүчәнлеге дә югарырак ешлыкларда бик мөһим. Бу параметрларны игътибар белән карап һәм микродиапазон линияләрен башка җайланмалар өчен төп берәмлек итеп кулланып, күп кенә бастырылган микродулкын җайланмалары һәм компонентларын, мәсәлән, фильтрлар, тоташтыргычлар, көч бүлгечләр/комбайнерлер, миксерлар һ.б. проектларга мөмкин. Ләкин ешлык арткан саен (чагыштырмача югары микродулкын ешлыкларына күчкәндә) тапшыру югалтулары арта һәм нурланыш барлыкка килә. Шуңа күрә, югарырак ешлыкларда югалтулар кечерәк булганга (нурланыш булмаганга), турыпочмаклы дулкын үткәргечләре кебек буш трубкалы дулкын үткәргечләре өстенлекле. Дулкын үткәргечнең эчке өлеше гадәттә һавадан тора. Әмма теләсәгез, аны диэлектрик материал белән тутырырга мөмкин, бу аңа газ белән тутырылган дулкын үткәргечкә караганда кечерәк кисемтә бирә. Ләкин, куыш трубкалы дулкын үткәргечләр еш кына зур була, бигрәк тә түбән ешлыкларда авыр була ала, югарырак җитештерү таләпләрен таләп итә һәм кыйммәт, һәм аларны яссы басма структуралар белән берләштереп булмый.

RFMISO МИКРОСТРИП АНТЕННА ПРОДУКТЛАРЫ：

RM-MA25527-22,25.5-27GHz

RM-MA425435-22,4.25-4.35GHz

Икенчесе - микрополоса структурасы һәм дулкын үткәргече арасындагы гибрид юнәлеш бирү структурасы, ул субстрат интеграцияләнгән дулкын үткәргече (SIW) дип атала. SIW - диэлектрик материалда эшләнгән интеграцияләнгән дулкын үткәргече сыман структура, аның өске һәм аскы өлешләрендә үткәргечләр, ә ян стеналарны формалаштырган ике металл сызыклы массив. Микрополоса һәм дулкын үткәргеч структуралары белән чагыштырганда, SIW экономияле, җитештерү процессы чагыштырмача җиңел һәм яссы җайланмалар белән интеграцияләнергә мөмкин. Моннан тыш, югары ешлыкларда эшләү микрополоса структураларына караганда яхшырак һәм дулкын үткәргеч дисперсия үзлекләренә ия. 1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә;

SIW проектлау күрсәтмәләре

Субстрат интегральләштерелгән дулкын үткәргечләре (SIW) - ике параллель металл пластинаны тоташтыручы диэлектрик эченә урнаштырылган ике рәт металл виалар кулланып ясалган интегральләштерелгән дулкын үткәргечкә охшаган структуралар. Металл аша үтүче тишекләр рәтләре ян стеналарны тәшкил итә. Бу структура микрополоса сызыклары һәм дулкын үткәргечләренең үзенчәлекләренә ия. Җитештерү процессы шулай ук башка бастырылган яссы структураларга охшаш. 2.1 нче рәсемдә типик SIW геометриясе күрсәтелгән, анда аның киңлеге (ягъни ян юнәлештә виалар арасындагы аерма (as)), виалар диаметры (d) һәм адым озынлыгы (p) SIW структурасын проектлау өчен кулланыла. Иң мөһим геометрик параметрлар (2.1 нче рәсемдә күрсәтелгән) киләсе бүлектә аңлатылачак. Доминант режим TE10 булуын истә тотыгыз, турыпочмаклы дулкын үткәргеч кебек үк. Һава белән тутырылган дулкын үткәргечләренең (AFWG) һәм диэлектрик белән тутырылган дулкын үткәргечләренең (DFWG) кисү ешлыгы fc һәм a һәм b үлчәмнәре арасындагы бәйләнеш SIW дизайнының беренче ноктасы. Һава белән тутырылган дулкын үткәргечләре өчен кисү ешлыгы түбәндәге формулада күрсәтелгәнчә.

SIW төп структурасы һәм исәпләү формуласы[1]

монда c - буш киңлектә яктылык тизлеге, m һәм n - режимнар, a - озынрак дулкын үткәргеч зурлыгы, ә b - кыскарак дулкын үткәргеч зурлыгы. Дулкын үткәргеч TE10 режимында эшләгәндә, аны fc=c/2a дип гадиләштерергә мөмкин; дулкын үткәргеч диэлектрик белән тулганда, киң як озынлыгы a ad=a/Sqrt(εr) белән исәпләнә, монда εr - мохитнең диэлектрик даимилеге; SIW TE10 режимында эшләсен өчен, тишекләр арасы p, диаметр d һәм киң як as түбәндәге рәсемнең югары уң ягындагы формуланы канәгатьләндерергә тиеш, һәм шулай ук d<λg һәм p<2d [2] эмпирик формулалары да бар;

монда λg - юнәлтелгән дулкын озынлыгы: Шул ук вакытта, нигезнең калынлыгы SIW зурлыгы дизайнына тәэсир итмәячәк, ләкин ул структураның югалуына тәэсир итәчәк, шуңа күрә югары калынлыктагы нигезләрнең аз югалту өстенлекләрен исәпкә алырга кирәк.

Микроплосканы SIWга үзгәртү
Микрополоса структурасын SIW белән тоташтырырга кирәк булганда, конуслы микрополоса күчүе төп өстенлекле күчү ысулларының берсе булып тора, һәм конуслы күчү гадәттә башка бастырылган күчүләр белән чагыштырганда киң полосалы туры килүне тәэмин итә. Яхшы эшләнгән күчү структурасы бик түбән чагылышларга ия, һәм кертү югалтулары, нигездә, диэлектрик һәм үткәргеч югалтулары аркасында килеп чыга. Субстрат һәм үткәргеч материалларын сайлау, нигездә, күчү югалтуын билгели. Субстрат калынлыгы микрополоса линиясенең киңлегенә комачаулаганлыктан, конуслы күчү параметрларын субстрат калынлыгы үзгәргәндә көйләргә кирәк. Җирләнгән бер яссылыклы дулкын үткәргечнең (GCPW) тагын бер төре дә югары ешлыклы системаларда киң кулланыла торган тапшыру линиясе структурасы. Арадаш тапшыру линиясенә якын ян үткәргечләр дә җир булып хезмәт итә. Төп фидерның киңлеген һәм ян җир белән араны көйләү аша кирәкле характеристик импеданс алырга мөмкин.

Микротасманы SIWга һәм GCPWны SIWга

Түбәндәге рәсемдә SIWга микротасма конструкциясенең мисалы күрсәтелгән. Кулланылган мохит - Rogers3003, диэлектрик даимилеге 3,0, чын югалту кыйммәте 0,001, ә калынлыгы 0,127 мм. Ике очындагы фидер киңлеге 0,28 мм, бу антенна фидерының киңлегенә туры килә. Тишек диаметры d=0,4 мм, ә ара p=0,6 мм. Симуляция зурлыгы 50 мм*12 мм*0,127 мм. Үткәргеч полосасындагы гомуми югалту якынча 1,5 дБ тәшкил итә (киң як аралыгын оптимальләштерү юлы белән аны тагын да киметергә мөмкин).