Микродулкынлы схемаларда яки системаларда бөтен схема яки система еш кына фильтрлар, куплерлар, электр бүлүчеләре һ.б. кебек төп микродулкынлы җайланмалардан тора, бу җайланмалар ярдәмендә сигнал көчен эффектив рәвештә бер ноктага күчереп булыр дип өметләнәбез. икенчесе минималь югалту белән;
Бөтен машина радар системасында энергияне конверсияләү, нигездә, чиптан PCB тактадагы фидерга энергияне күчерүне, ашаткычны антенна организмына күчерүне һәм антенна ярдәмендә энергиянең эффектив нурланышын үз эченә ала. Энергияне тапшыру процессында мөһим өлеш - конвертер дизайны. Миллиметр дулкын системаларындагы конвертерларга, нигездә, интеграль дулкын саклагычына (SIW) конверсиягә микрострип, дулкын саклагыч конверсиясенә микросрип, дулкын саклагыч конверсиясенә коаксиаль, дулкын саклагыч конверсиясенә коаксиаль, дулкын саклагыч конверсиясенә һәм төрле дулкынлы конверсия керә. Бу проблема микробанд SIW конверсия дизайнына юнәлтеләчәк.
Төрле транспорт структуралары
Микросрипчагыштырмача түбән микродулкынлы ешлыкларда иң киң кулланылган җитәкче структураларның берсе. Аның төп өстенлекләре - гади структура, аз чыгымлы һәм өслек монтаж компонентлары белән югары интеграция. Типик микросрип сызыгы диэлектрик катлам субстратының бер ягында үткәргечләр ярдәмендә формалаша, икенче якта бер җир яссылыгын ясый, өстендә һава бар. Topгары үткәргеч, нигездә, тар чыбыкка охшаган үткәргеч материал (гадәттә бакыр). Сызык киңлеге, калынлыгы, чагыштырмача үткәрүчәнлеге, субстратның диэлектрик югалту тангенты мөһим параметрлар. Моннан тыш, үткәргечнең калынлыгы (ягъни металлизация калынлыгы) һәм үткәргечнең үткәрүчәнлеге югары ешлыкларда да бик мөһим. Бу параметрларны җентекләп карап, микросрип сызыкларны бүтән җайланмалар өчен төп берәмлек итеп кулланып, күп басма микродулкынлы җайланмалар һәм компонентлар фильтрлар, куплерлар, электр бүлүче / комбайнерлар, миксерлар һ.б. кебек эшләнергә мөмкин, ләкин ешлык арта барган саен (күченгәндә) чагыштырмача югары микродулкынлы ешлыклар) тапшыру югалтулары арта һәм нурланыш барлыкка килә. Шуңа күрә, югары ешлыкларда кечерәк югалтулар аркасында (нурланыш юк) турыпочмаклы дулкын саклагычлары кебек буш торба дулкын саклагычлары өстенлекле. Дулкын саклагычының эчке өлеше гадәттә һава. Ләкин теләсәгез, аны диэлектрик материал белән тутырырга мөмкин, аңа газ белән тулган дулкын саклагычына караганда кечерәк кисемтә бирергә. Ләкин, буш торба дулкынландыргычлары еш кына зур, аеруча түбән ешлыкларда авыр булырга мөмкин, югары җитештерү таләпләрен таләп итә һәм кыйммәткә төшә, һәм планлы басма структуралар белән интеграцияләнә алмый.
RFMISO MICROSTRIP ANTENNA PRODUCTS ：
RM-MA25527-22,25.5-27GHz
RM-MA425435-22,4.25-4.35GHz
Икенчесе - микросрип структурасы һәм дулкынландыргыч арасында гибрид җитәкчелек структурасы, субстрат интеграль дулкын саклаучы (SIW) дип атала. SIW - диэлектрик материалда эшләнгән интеграль дулкын саклагыч структурасы, өстендә һәм төбендә үткәргечләр һәм тротуарларны формалаштыручы ике металл виасның сызыклы массивы. Микрострип һәм дулкынландыргыч структуралар белән чагыштырганда, SIW чыгымлы, җитештерү процессы чагыштырмача җиңел, планар җайланмалар белән интеграцияләнергә мөмкин. Моннан тыш, югары ешлыктагы эш микросрип структураларына караганда яхшырак һәм дулкынландыргыч дисперсия үзенчәлекләренә ия. 1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә;
SIW дизайн күрсәтмәләре
Субстрат интеграль дулкынландыргычлар (SIWs) - ике параллель металл тәлинкәләрне тоташтыручы диэлектрикка урнаштырылган ике рәт металл вианы кулланып эшләнгән дулкынландыргыч охшаш структуралар. Тишекләр аша металл рәтләр диварларны ясыйлар. Бу структура микросрип сызыкларының һәм дулкынландыргычларның үзенчәлекләренә ия. Manufacturingитештерү процессы башка басма яссы структураларга да охшаган. Типик SIW геометриясе 2.1-нче рәсемдә күрсәтелгән, анда аның киңлеге (яисә виасны каптал юнәлештә аеру), виас диаметры (г) һәм тишек озынлыгы (p) SIW структурасын проектлау өчен кулланыла. Иң мөһим геометрик параметрлар (2.1 нче рәсемдә күрсәтелгән) киләсе бүлектә аңлатылачак. Игътибар итегез, доминант режим TE10, турыпочмаклы дулкын саклагыч кебек. Airава белән тутырылган дулкынландыргычлар (AFWG) һәм диэлектрик тутырылган дулкынландыргычлар (DFWG) һәм a һәм b үлчәмнәре арасындагы бәйләнеш SIW дизайнының беренче ноктасы. Airава белән тутырылган дулкынландыргычлар өчен өзелү ешлыгы түбәндәге формулада күрсәтелгәнчә
SIW төп структурасы һәм исәпләү формуласы [1]
монда c - буш урында яктылык тизлеге, m һәм n - режимнар, a - озын дулкын саклагыч, ә b - кыска дулкын саклагыч зурлыгы. Дулкын саклагыч TE10 режимында эшләгәндә, аны fc = c / 2a га гадиләштерергә мөмкин; дулкын саклагыч диэлектрик белән тутырылганда, киң киңлек озынлыгы ad = a / Sqrt (εr) белән исәпләнә, монда εr - уртача диэлектрик тотрыклы; SIW TE10 режимында эшләсен өчен, тишек арасы p, диаметры һәм киң ягы аша астагы рәсемнең өске уң ягында формуланы канәгатьләндерергә тиеш, һәм шулай ук d <λg һәм p <2d [эмпирик формулалары бар]. 2];
монда λg дулкын озынлыгы - шул ук вакытта субстратның калынлыгы SIW зурлыгына тәэсир итмәячәк, ләкин ул структураның югалуына тәэсир итәчәк, шуңа күрә югары калынлыктагы субстратларның аз югалту өстенлекләрен исәпкә алырга кирәк. .
SIW конверсиясенә микросрип
Микрострип структурасы SIW белән тоташырга тиеш булганда, микросрипка күчү төп өстенлекле күчү ысулларының берсе булып тора, һәм күчерелгән күчү гадәттә бүтән басма күчешләр белән чагыштырганда киң полосалы матчны тәэмин итә. Яхшы эшләнгән күчү структурасы бик түбән чагылышка ия, һәм кертү югалуы беренче чиратта диэлектрик һәм үткәргеч югалтулары аркасында килеп чыга. Субстрат һәм үткәргеч материалларны сайлау, нигездә, күчү югалтуын билгели. Субстратның калынлыгы микросрип сызыгы киңлегенә комачаулаганлыктан, субстрат калынлыгы үзгәргәндә эшләнгән күчү параметрлары көйләнергә тиеш. Копланар дулкынландыргычның тагын бер төре (GCPW) шулай ук югары ешлыклы системаларда киң кулланылган тапшыру линиясе структурасы. Арадаш тапшыру линиясенә якын ян үткәргечләр дә җир булып хезмәт итә. Төп тукланучының киңлеген һәм бушлыкны як җиргә көйләп, кирәкле характеристик импедансны алырга мөмкин.
SIW өчен микросрип һәм GCPW SIW
Түбәндәге рәсем SIW-га микросрип дизайнының мисалы. Кулланылган уртача Rogers3003, диэлектрик тотрыклы 3.0, чын югалту бәясе 0,001, калынлыгы 0,127 мм. Ике очында да ашатучының киңлеге 0,28 мм, антенна ашаткычның киңлегенә туры килә. Тишек диаметры d = 0,4 мм, арасы p = 0,6 мм. Симуляция күләме 50 мм * 12 мм * 0,127 мм. Пассажирдагы гомуми югалту якынча 1,5dB тәшкил итә (бу киң араны оптимальләштереп тагын да киметергә мөмкин).
SIW структурасы һәм аның S параметрлары
Электр кырын тарату @ 79 ГГц
Пост вакыты: 18-2024 гыйнвар
